专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种盘旋转装置-CN202311128371.3在审
  • 马玉水;王志广;白如意 - 联盛半导体科技(无锡)有限公司
  • 2023-09-04 - 2023-10-24 - B08B3/04
  • 本发明公开了一种盘旋转装置,包括壳体,壳体的底板顶面的中心安装有立柱,立柱的径向外周表面套装有上永磁转环安装轴承,上永磁转环套装在上永磁转环安装轴承上,转管的底端与上永磁转环相连;转管的侧壁上设有过水通孔;壳体的壳体侧壁上设有进水孔;环盖套装在转管的径向外周表面;转管的顶端位于环盖上方,盘活动安装在转管的顶端;盘的中心垂直线设有若干出水孔;出水孔与转管的内孔顶端连通;驱动电机垂直向安装壳体的底板下方本发明盘旋转装置可在清洗时,保护的背面不受侵蚀,清洗效果好,且节省酸液。
  • 一种钼片载盘旋装置
  • [发明专利]一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法-CN202211611941.X在审
  • 孙思成;马阳;李力力;王洪全 - 成都华兴大地科技有限公司
  • 2022-12-15 - 2023-01-31 - H01L23/367
  • 本发明提供一种新型大功耗芯片封装结构及封装方法,从上至下依次包括板、裸芯片层、陶瓷基板、球状焊盘、金属盖板;裸芯片层位于板的底部,球状焊盘设置在陶瓷基板底层,在陶瓷基板内侧设有多层台阶结构,台阶结构上的金属焊盘通过金丝与裸芯片层上的芯片互联;板的上表面是整个封装结构的散热面。本发明结构中板和陶瓷基板均有气密特性,并通过金属盖板的平行封焊完成整个结构腔体的气密。保证了该封装结构可以在湿热、烟雾、霉菌等恶劣环境下长期可靠的工作。裸与基板采用共晶烧结可以将空洞率控制在30%以内,进一步提高导热及散热效果。
  • 一种新型功耗芯片封装结构方法
  • [发明专利]一种超声辅助的二硫化纳米物理剥离方法及其装置-CN201811505321.1有效
  • 王福亮;唐子锴;杨祎 - 中南大学
  • 2018-12-10 - 2020-11-03 - B01J19/10
  • 本发明公开了一种超声辅助的二硫化纳米物理剥离装置,包括底座、三维微动台、以及超声变幅杆,三维微动台设置于所述底座上;设置于所述三维微动台上;超声变幅杆设置在所述的上方且与底座上的支撑架固定连接,所述超声变幅杆的输出端对准所述,所述三维微动台与所述之间设有通过压力传感变送器与示波器电性连接的压电传感器,所述超声变幅杆与超声电源电性连接。本发明利用变幅杆末端的超声提供切向力,通过酒精液滴的介质将剪切力均匀地传递到二硫化表面,并使得厚度3nm‑30nm的纳米脱离块体材料,完成直接物理剥离,具有简单、高效且剥离效率高等优点。
  • 一种超声辅助二硫化钼纳米物理剥离方法及其装置
  • [发明专利]多孔碳金属化合物的制备及析氢应用-CN202111184558.6有效
  • 许跃龙;任斌;翟作昭;王莎莎;张利辉;刘振法 - 河北省科学院能源研究所
  • 2021-10-12 - 2023-03-28 - C25B1/04
  • 本发明涉及多孔碳金属化合物的制备及析氢应用,其包括如下步骤:步骤一:将三苯甲酸、2‑氨基苯甲酸、氯化铵、盐与聚乙烯吡咯烷酮进行球磨混合,空气中300‑500℃烧结3‑5h,制备得到碳化合物;步骤二:将碳化合物转入氮气氛围炉中,700‑900℃炭化,即制得多孔碳碳化;或,将碳化合物与次磷酸铵化合物混合后在氮气氛围炉中,600‑800℃炭化,即制得多孔碳磷化;或,将碳化合物与硫代乙酰胺混合后在氮气氛围炉中,600‑800℃炭化,即制得多孔碳二硫化。本发明方法制备简单,适用于所有金属化合物的制备,且在析氢方向具有较好的应用前景。
  • 多孔金属化合物制备应用
  • [发明专利]一种异位成核的双层MoS2-CN202210992813.8在审
  • 周喻;李成;范秀莲;邹路玮 - 中南大学
  • 2022-08-18 - 2022-10-11 - B22F1/054
  • 本发明属于纳米材料领域,公开了一种异位成核的双层二硫化纳米及其制备方法。其采用三氧化、硫粉为前驱体,氯化钠为助熔剂,使用惰性气体氩气作为气,在一定温度下反应。本发明通过简单方法引入对生长条件的扰动,即利用衬底硅片的特定倾角调控衬底表面气流方向以及局域反应剂浓度的变化,在加热和保温过程中,顶层二硫化的成核位点偏离底层二硫化的成核位点,形成了偏离底层中心成核点的双层堆叠方式在未引入扰动的生长条件下,双层二硫化纳米为同位成核生长。本发明可制备异位成核生长的双层二硫化纳米,有效地减少热力学稳定的双层堆垛方式,实现对双层纳米成核位置的调控,制备方法简单可行。
  • 一种成核双层mosbasesub
  • [发明专利]一种原子层沉积二硫化薄膜的方法-CN201710497160.5在审
  • 刘磊;黄亚洲;吕俊;杨俊杰;陈云飞;倪中华 - 东南大学
  • 2017-06-26 - 2017-11-10 - C23C16/30
  • 本发明涉及一种原子层沉积二硫化薄膜的方法,包括以下步骤将源装入源瓶并加热,加热放置有基底样品的反应腔;利用气将源吹入反应腔,使源与基底样品表面发生自限制化学吸附,源吹入结束后,继续通入气,将反应副产物和残余的源冲洗掉;利用气将硫化氢吹入反应腔,使硫化氢与源发生自限制化学反应,在基底样品表面生成二硫化薄膜,硫化氢吹入结束后,继续通入气将反应副产物和残余硫化氢冲洗掉。本发明制备的二硫化薄膜质量均匀、表面平整、厚度可以精确控制。
  • 一种原子沉积二硫化钼薄膜方法

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